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许居衍(中国工程院院士,微电子技术专家)

发布时间:2017-04-16 浏览次数:29

许居衍,我国著名的微电子及半导体技术专家。19347月生于福建闽候,1957年毕业于厦门大学物理系。历任电子工业部第二十四研究所、无锡微电子科研开发中心、无锡微电子联合公司、中国华晶电子集团公司等单位总工程师,国务院电子振兴领导小组顾问,中国电子学会常务理事,中国电子科技集团第五十八研究所所长。1995年当选为中国工程院院士。

许居衍长期从事半导体技术与微电子工业的开发工作,是我国集成电路IC工业技术奠基者和开拓者之一。60年代初,许居衍摸索集成电路制造技术,研制成功中国第一代单片硅平面集成电路和第一代IC系列化产品,为开创我国集成电路事业做出贡献。在国际大规模集成电路技术初创时期,主持并亲自参与建立了构成LSI技术基础的计算机辅助制板系统,相继提出并研制成功高速发射极分流限制饱和逻辑电路、集成注入肖特基逻辑电路等创新结构。70年代筹建大规模集成电路新工艺,主持研究成功离子注入新工艺和计算机辅助制版系统,为成功研制4096位动态随机存储器等多种大规模集成电路开辟了新的技术基础。1978年获全国科学大会“重大贡献工作者”奖,并先后载入美国《拜伦人物志》和英国剑桥国际传记中心《国际名人辞典》。在探索科研与生产结合新模式中,他促成了无锡微电子科研生产联合企业的建立,为南方微电子基地的发展做出贡献。主要论文有《硅次掺杂层的平均载流子迁移率》、《集成注入肖特基逻辑》等。