您所在的位置:首页  师资队伍  实验工程
应磊莹

发布时间:2017-06-09 浏览次数:44

姓名:  应磊莹

职称、职位:工程师

邮箱:lyyingATxmu.edu.cn

电话:18059808927

办公地点:行政楼B523



学历:

中山大学理学学士,物理专业;

中国电子科技集团第十三研究所工学硕士,半导体光电集成专业。

研究方向:

半导体器件与工艺


课题项目:

1、国防科工局科学挑战计划,“强约束条件下集成微系统的基础科学技术问题”,2016.1-2020.12,在研,参加(排名第三)

2、国家重点研发计划,“固态紫外器件高光提取效率和光子调控工艺技术研究”,2016.7-2021.6,在研,参加(排名第三)

3、国家自然科学基金联合基金项目重点支持项目,“GaN基垂直腔面发射激光器基础研究”,2016.1-2019.12,在研,参加(排名第二)

4、国家自然基金面上项目,“III族氮化物半导体微谐振腔中自发辐射特性研究”,2015.1-2018.12,在研,参加(排名第三)

5、国家自然基金面上项目,“氮化镓基共谐振腔发光管研究”,2016.1-2019.12,在研,参加(排名第三)

6、广东省省级科技计划项目,“宽带高效可见光通信LED器件研发”,2015.1-2017.12,在研,参加(排名第四)

7、国家自然基金青年科学基金项目,“GaN基外腔可调谐半导体激光器研究”,2014.1-2016.12,已结题,参加(排名第三)


代表作:

[1]Mei Y, Weng G, Zhang B, Liu J, Hofmann W, Ying L, Zhang J, Li Z, Yang H, Kao H, 2017. Quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers covering the 'green gap' 2017. Light: Science & Application 6:

[2]Weng G, Mei Y, Liu J, Hofmann W, Ying L, Zhang J, Bu Y, Li A, Yang H, Zhang B, 2016. Low threshold continuous-wave lasing of yellow-green InGaN-QD vertical-cavity surface-emitting lasers. Optics Express 24(14): 15546-15553(SCI).

[3]Long H, Zeng Y, Ying L, Zhang B, 2016. Coplanar metal-semiconductor-metal light-emitting devices with an n++InGaN layer and their application to display. Semiconductor Science and Technology 31: 065019-065023(SCI).

[4]Ying L, Hu X, Liu W, Zhang J, Zhang B*, 2015. Control of optical loss in GaN-based planar cavities. Superlattices and Microstructures 88: 561-566 (SCI).

[5]Zhang J, Ying L*, Chen M, Liu W, Yu J, Zhang B, 2015. Improved heat dissipation in GaN-based thin-film light-emitting diode with lateral-electrode configuration. Science of Advanced Materials 7: 283-286(SCI).

[6]Liu W, Hu X, Ying L*, Zhang J, Zhang B, 2014. Room temperature continuous wave lasing of electrically injected GaN-based vertical cavity surface emitting lasers. Applied Physics Letters 104: 251116-1-3(SCI).

[7]应磊莹,刘文杰,张江勇,胡晓龙,张保平,2014. 激光剥离GaN表面的抛光技术。Seminconductor Manufacturing Technologies 39(10): 758-762.

[8]张保平,翁国恩,梅洋,张江勇,应磊莹,一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法,授权公开号CN104634767 B, 授权公告日2017.02.22.

[9]张保平,左海杰,张江勇,应磊莹,一种衍射光学元件的制作方法,授权公开号CN103969724 B, 授权公告日2016.08.17

[10]张保平,胡晓龙,刘文杰,张江勇,应磊莹,一种电注入GaN基谐振腔的制作方法,授权公开号CN103325894 B, 授权公告日2016.02.17.

[11]张保平,刘文杰,胡晓龙,张江勇,应磊莹,一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制作方法,授权公开号CN103227265 B, 授权公告日2015.08.19.